MC2.1KW

Solid State -vahvistin

MC2.1KW koostuu kolmesta erillisestä moduulista: yhdestä lähtömoduulista ja kahdesta tehomoduulista, joista kussakin on 1 000 watin vahvistin.

Tuleva audiosignaali saapuu lähtömoduuliin esivahvistimesta. Vaiheessa oleva signaali lähetetään lähtömoduulista toiseen tehomoduuliin ja vahvistetaan. Samalla vaiheesta poissa oleva signaali lähetetään toiseen tehomoduuliin ja vahvistetaan.

Molemmat vahvistetut signaalit poistuvat tehomoduuleista ja palaavat lähtömoduuliin, jossa ne ohjaavat McIntosh Autoformer™ -käämin vastakkaisia päitä.

Käsin käärityn Autoformer-muuntajamme ansiosta kaiuttimeen voidaan syöttää täysi 2 000 watin teho riippumatta siitä, onko sen impedanssi 2, 4 vai 8 ohmia.

Seuraavan sukupolven MC2.1KW tarjoaa monia äänenlaadullisia parannuksia. Tärkeimpiä näistä ovat huomattavasti suuremmat suodatinkondensaattorit, jotka parantavat matalien taajuuksien suorituskykyä sekä lisäävät merkittävästi dynaamista headroomia. Nämä kahdeksan suurempaa kondensaattoria sijaitsevat tehomoduuleissa räätälöidyn tehopankin takana, joka näkyy etupaneelin lasin läpi.

Kaksi sarjaa symmetrisiä ja epäsymmetrisiä tuloja mahdollistavat kätevästi useamman kuin yhden esivahvistimen kytkemisen. Tämä antaa sinulle mahdollisuuden vaihtaa helposti putki- ja transistorisignaalien välillä, kuten esimerkiksi referenssitason C12000-transistori- ja putkiesivahvistimestamme, jossa on lähdöt molemmille signaalityypeille, tai erillisistä putki- ja transistoriesivahvistimista.

Ainutlaatuiset McIntosh-tekniikat, jotka varmistavat sijoituksesi suojan ja virheettömän kokemuksen, ovat: Power Guard®; Sentry Monitor™; Quad Balanced Design; ja Power Control.

MC2.1KW ei tunne rajoja, eikä se rajoitu pelkästään McIntosh-kaiuttimien käyttöön, vaan sitä voidaan käyttää myös monenlaisten muiden kaiuttimien kanssa.

Järjestelmän tekniset tiedot:

• Lähtöteho: 2000 W 2, 4 tai 8 Ω:n kuormalla
• Nimellistehoalue: 20 Hz – 20 kHz
• Dynaaminen headroom: 2,1 dB
• Laajakaistainen vaimennuskerroin: > 40
• Taajuusvaste: +0, -0,25 dB, 20 Hz – 20 kHz; +0, -3 dB, 10 Hz – 100 kHz
• Kokonaisharmoninen särö: enintään 0,005 % harmonista säröä millä tahansa tehotasolla 250 mW:sta nimellistehoon, 20 Hz – 20 kHz
• Intermodulaatiovääristymä: enintään 0,005 %, jos hetkellinen huipputeho ei ylitä kaksinkertaista nimellistehoa millään taajuusyhdistelmällä välillä 20 Hz – 20 kHz
• Signaali-kohinasuhde (A-painotettu): 123 dB nimellistehon alapuolella
• Tuloherkkyys (nimellisteholle): 5,0 V symmetrinen, 2,5 V epäsymmetrinen
• Tulon impedanssi: 22 000 Ω symmetrinen, 22 000 Ω epäsymmetrinen
• Jännitelähtö: 126,5 V 8 Ω:n kuormalla, 89,5 V 4 Ω:n kuormalla, 63,3 V 2 Ω:n kuormalla
• Jännitevahvistus: 8 Ω: 34 dB; 4 Ω: 31 dB; 2 Ω: 28 dB
• Tehonohjauksen tulo: 5–12 VDC
• Tehonohjauksen lähtö: 12 VDC, 25 mA

Tehomoduulin tekniset tiedot:

• Virtavaatimukset: 100 V, 50/60 Hz, 1440 W; 110 V, 50/60 Hz, 13 A; 120 V, 50/60 Hz, 12 A; 220 V, 50/60 Hz, 7,5 A; 230/240 V, 50/60 Hz, 6,5 A
• Kokonaismitat (L x K x S): 456 x 302 x 597 mm
• Paino: 65,8 kg netto, 77,1 kg pakkauksessa

Lähtömoduulin tekniset tiedot:

• Teho: 100, 110, 120, 220, 230, 240 V, 50/60 Hz, 35 W
• Ulkomitat (L x K x S): 456 x 309 x 597 mm
• Paino: 56,7 kg netto, 68 kg pakkauksessa